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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
22
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,077.3
17.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
61
Intorno -259% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
17
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
22.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
3731
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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