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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,077.3
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
61
Intorno -110% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
29
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
3208
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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