Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Punteggio complessivo
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EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 17.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,077.3 left arrow 13.2
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 61
    Intorno -110% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    61 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,835.2 left arrow 17.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,077.3 left arrow 13.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    606 left arrow 3208
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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