RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,077.3
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
61
Intorno -205% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
20
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
3540
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Elpida EBE10UE8ACWA-6E-E 1GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link