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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,077.3
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
61
Intorno -49% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
41
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
2621
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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