RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
61
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
2,077.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
32
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
2829
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link