RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
54
Intorno -135% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
23
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
21.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
4043
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link