RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
26.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
14
54
Intorno -286% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.8
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
14
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
26.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
19.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
4362
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link