RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
54
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
24
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
3049
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link