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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
54
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
32
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
3148
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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