RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
54
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
35
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
3242
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Corsair CM3X1G1600C9DHX 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link