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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
11.7
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1578
3463
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
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