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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
11.7
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1578
2792
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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