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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
72
Intorno -167% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
1,938.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
72
27
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,938.7
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
677
2288
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Confronto tra le RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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