RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
72
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,938.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
72
49
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,938.7
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
677
2427
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Confronto tra le RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link