RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
64
Intorno -121% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
29
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3754
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link