RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
64
Intorno -106% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
31
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3318
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link