RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
64
Intorno -113% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
30
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3458
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link