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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
64
Intorno -191% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
22
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3012
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
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