RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
64
Intorno -137% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
27
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3337
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link