RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
23.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
19.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
64
Intorno -156% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
25
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
23.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
19.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
4380
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link