RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
64
Intorno -137% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
27
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3419
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link