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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
64
Intorno -121% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
29
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3501
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
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