RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
64
Intorno -129% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
28
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3772
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link