RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
64
99
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.4
2,256.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
99
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
1386
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link