RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
64
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
2,256.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
47
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2362
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link