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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
64
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
2,256.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
44
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2374
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
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