RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18
Valore medio nei test
Motivi da considerare
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
58
64
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
2,256.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
58
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2025
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link