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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
64
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
2,256.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
38
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2470
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
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