RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
64
Intorno -146% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
26
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2670
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link