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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
64
Intorno -121% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
29
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3675
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
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