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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
50
Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
50
Velocità di lettura, GB/s
13.0
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2079
2386
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF560C40-16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
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