RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
42
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
32
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2895
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link