RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
42
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
25
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2871
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link