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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
42
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
32
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2706
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
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