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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
42
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
25
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
3917
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
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