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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
42
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
25
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
3890
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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