RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
66
Intorno 36% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
66
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
1877
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link