RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
42
Intorno -110% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
20
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
3127
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link