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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
42
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
38
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2829
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
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