Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M386B4G70BM0-YH92 32GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M386B4G70BM0-YH92 32GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M386B4G70BM0-YH92 32GB

Samsung M386B4G70BM0-YH92 32GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    10.6 left arrow 8.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.8 left arrow 3.8
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    38 left arrow 42
    Intorno -11% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M386B4G70BM0-YH92 32GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    42 left arrow 38
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.6 left arrow 8.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 3.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2150 left arrow 1499
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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