RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
42
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
24
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
3151
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link