Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 42
    Intorno -45% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.4 left arrow 10.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.1 left arrow 7.8
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    42 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.6 left arrow 12.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 9.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2150 left arrow 2379
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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