RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
54
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
54
Velocità di lettura, GB/s
10.6
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2226
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link