RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
71
Intorno 41% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
71
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
1863
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link