RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
35
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
34
Velocità di lettura, GB/s
13.7
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
3055
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link