RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
81
Intorno 57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
81
Velocità di lettura, GB/s
13.7
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
1456
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link