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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
28
Velocità di lettura, GB/s
13.7
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
3546
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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