RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
35
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
26
Velocità di lettura, GB/s
13.7
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
2806
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link