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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
35
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
29
Velocità di lettura, GB/s
13.7
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
3113
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
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SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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