RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
35
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
24
Velocità di lettura, GB/s
13.7
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
2462
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link